晶科华兴集成电路(深圳)有限公司
企业简介

晶科华兴集成电路(深圳)有限公司 main business:集成电路、电源管理芯片、IGBT芯片、触摸控制芯片、功率驱动模块、MEMS传感器、半导体分立器件、芯片系统应用方案的设计、研发与销售;计算机软硬件、电子元器件、仪器仪表的研发、设计与销售;国内贸易;货物及技术进出口。(经营范围中属于法律、行政法规、国务院决定规定应当经批准的项目,凭批准文件、证件经营。)^ and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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晶科华兴集成电路(深圳)有限公司的工商信息
  • 440301113205504
  • 91440300342871922J
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司
  • 2015年06月25日
  • 林晓东
  • 1500.000000
  • 2015年06月25日 至 2045年06月09日
  • 深圳市市场监督管理局
  • 2016年03月08日
  • 深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
  • 集成电路、电源管理芯片、IGBT芯片、触摸控制芯片、功率驱动模块、MEMS传感器、半导体分立器件、芯片系统应用方案的设计、研发与销售;计算机软硬件、电子元器件、仪器仪表的研发、设计与销售;国内贸易;货物及技术进出口。(经营范围中属于法律、行政法规、国务院决定规定应当经批准的项目,凭批准文件、证件经营。)^
晶科华兴集成电路(深圳)有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205665371U 一种手持式自适应低电压功率MOSFET参数测量仪 2016.10.26 本实用新型涉及一种手持式自适应低电压功率MOSFET参数测量仪,包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、P
2 CN205406924U 一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器 2016.07.27 本实用新型涉及一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器。其包括用于与电机的三根相线分别相连的第一相
3 CN105810671A 一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块 2016.07.27 本发明涉及一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块,包括间隔并列布置成一排的六个独立封装单元,每个
4 CN205828381U 一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块 2016.12.21 本实用新型涉及一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块,包括间隔并列布置成一排的六个独立封装单元,
5 CN205670540U 一种电动车控制器用六管MOSFET模块 2016.11.02 本实用新型涉及一种电动车控制器用六管MOSFET模块,包括间隔并列布置成一排的六个TO220载体和六
6 CN205665370U 一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪 2016.10.26 本实用新型涉及一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪,包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、P
7 CN205665369U 一种手持式自适应中电压功率MOSFET参数测量仪 2016.10.26 本实用新型涉及一种手持式自适应中电压功率MOSFET参数测量仪,包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、P
8 CN205542794U 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管 2016.08.31 本实用新型属于功率场效应晶体管技术领域,提供一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。该晶体管包括由上
9 CN105870187A 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法 2016.08.17 本发明属于功率场效应晶体管技术领域,提供一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。该晶体管包括由上到下
10 CN105826778A 一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器 2016.08.03 本发明涉及一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器。其包括用于与电机的三根相线分别相连的第一相线接
11 CN205319163U 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管 2016.06.15 本实用新型提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管,该晶体管包括外延层、体区、栅电极和氧化层,外延层
12 CN105514170A 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法 2016.04.20 本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管,该晶体管包括外延层、体区、栅电极和氧化层,外延层是预
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